Onsemi 發(fā)布了升級(jí)版系列電源模塊，以促進(jìn)公用事業(yè)規(guī)模的太陽(yáng)能發(fā)電和存儲(chǔ)。

新產(chǎn)品線采用 F5BP 封裝中的硅和碳化硅混合功率集成模塊 (PIM) 組成，可與太陽(yáng)能串式逆變器或儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS) 應(yīng)用集成。

該公司在一份聲明中表示：“F5BP-PIM 與 1050V FS7 IGBT 和 1200V D3 EliteSiC 二極管集成在一起，形成了一個(gè)基礎(chǔ)，有助于實(shí)現(xiàn)高壓和大電流功率轉(zhuǎn)換，同時(shí)降低功耗并提高可靠性。”“FS7 IGBT 具有低關(guān)斷損耗，可將開關(guān)損耗降低高達(dá) 8%，而 EliteSiC 二極管與前幾代產(chǎn)品相比，具有出色的開關(guān)性能，電壓閃爍降低了 15%。”

PIM 采用 I 型中性點(diǎn)鉗位 (INPC) 設(shè)計(jì)(用于逆變器模塊)和飛跨電容器拓?fù)?用于升壓模塊)。它們還具有優(yōu)化的電氣布局和先進(jìn)的直接粘合銅 (DBC) 基板，可降低雜散電感和熱阻，從而提高性能。

Onsemi 補(bǔ)充道：“銅基板進(jìn)一步降低了散熱器的熱阻 9.3%，確保模塊在高運(yùn)行負(fù)荷下保持冷卻。這種熱管理對(duì)于保持模塊的效率和壽命至關(guān)重要，使其在需要可靠和持續(xù)供電的苛刻應(yīng)用中非常有效。”

這些模塊在開關(guān)條件下的工作溫度范圍為 -40 C 至 150 C，存儲(chǔ)時(shí)可承受高達(dá) 125 C 的溫度。每個(gè)模塊重 245 克，采用焊針，不含鉛 (Pb) 和鹵化物，與早期型號(hào)相比，功率密度和效率更高。這一改進(jìn)使太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)的功率在相同的占地面積內(nèi)從 300 kW 增加到 350 kW。

該公司表示：“這意味著，使用最新一代模塊的 1 千兆瓦 (GW) 容量公用事業(yè)規(guī)模太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)每小時(shí)可節(jié)省近 2 兆瓦的能源，相當(dāng)于每年為 700 多戶家庭供電。此外，與上一代產(chǎn)品相比，實(shí)現(xiàn)相同功率閾值所需的模塊更少，這可以將電力設(shè)備組件成本降低 25% 以上。”